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日本npc西村陶业半导体陶瓷/液晶制造设备

日本npc西村陶业半导体陶瓷/液晶制造设备

产品型号:

所属分类:陶瓷材料

产品时间:2020-11-06

简要描述:日本npc西村陶业半导体陶瓷/液晶制造设备
对于半导体制造设备,高刚性,加工精度,抗震性,耐热性,导热性,表面处理精度,金属污染,耐化学药品性,耐气体性,耐等离子性,绝缘性,介电常数,介电常数需要各种特性,例如特性,体积电阻,低粉尘产生(颗粒)和成本。

详细说明:

日本npc西村陶业半导体陶瓷/液晶制造设备

半导体陶瓷产品/液晶制造设备/太阳能

对于半导体制造设备,高刚性,加工精度,抗震性,耐热性,导热性,表面处理精度,金属污染,耐化学药品性,耐气体性,耐等离子性,绝缘性,介电常数,介电常数需要各种特性,例如特性,体积电阻,低粉尘产生(颗粒)和成本。
Nishimura Suegyo高纯氧化铝作为陶瓷可以响应上述特性(Al 2 O 3 99.7%或更高,Al 2 O 3 99.9%或更高),氮化铝(ALN),氧化钇(Y 2 0 3和倡导者)。

由于其特性,高纯度氧化铝可用于运输臂,晶圆台,RF高频传输窗口等。它还具有出色的金属化功能。
氮化铝具有优异的导热性,散热性,耐热冲击性和电绝缘性,并且具有热膨胀率接近硅晶片的热膨胀率的特性。
Itria是一种具有出色耐等离子体性的材料。

日本npc西村陶业半导体陶瓷/液晶制造设备

案例分析

虚拟晶片(ALN /氧化铝陶瓷)

 我们制造和销售高纯度ALN(无助剂)和高纯度氧化铝假晶片。
尺寸:大12英寸         

氧化锆φ0.1小孔管

 我通过挤压氧化锆制成了烟斗。中心有φ0.1孔的管道。

Belger用于耐等离子CVD的材料N-999S

 由高纯度的99.9%氧化铝(N-999S)材料制成,可抵抗半导体制造设备的等离子体磨损。

氧化铝N-999S管

 我们用99.9%的氧化铝(N-999S)制成了几乎没有弯曲的管子(尺寸:φ10+ 0 / -0.05 xφ8+ 0.1 / 0 x 350L)。
将其成型并以0.2mm或更小的翘曲烘烤,而无需抛光内径。                       

校正环(校正板环)

 校正环(校正板环)这是用于校正Kenma板的板板的环。由99.7%的氧化铝制成我们可以根据您的要求制造尺寸,形状和精度。

耐等离子陶瓷U型管


 

 由99.7%的氧化铝制成的U形管用作半导体制造设备中的等离子体保护管。

耐等离子防护罩

 西村陶瓷的半透明氧化铝N-9000NS用作半导体制造设备的耐等离子保护盖。

耐血浆肘

 2分割弯头,由高纯度氧化铝制成,具有耐等离子性。    

它具有可以组装的形状。

由高纯度氧化铝N-99(氧化铝99.7%或更高)制成,用于半导体制造设备

 由高纯度氧化铝N-99(氧化铝99.7%或更高)制成的产品用作半导体制造设备的零件。
 


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