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日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω

日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω

产品型号:

所属分类:热导率

产品时间:2021-03-15

简要描述:日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω
该设备是世界上唯yi使用2ω方法测量纳米薄膜在厚度方向上的导热率的商用设备。与其他方法相比,样品的生产和测量更加容易。

详细说明:

日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω

该设备是世界上唯yi使用2ω方法测量纳米薄膜在厚度方向上的导热率的商用设备。与其他方法相比,样品的生产和测量更加容易。

使用

  • 量化低K绝缘膜的热阻,以用于半导体器件的热设计
  • 绝缘膜的开发和散热的改善
  • 在热电薄膜中的应用评价

特征

  • 可以测量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的热导率。
  • 使用热反射法通过温度幅度检测实现测量
  • 易于预处理的测量样品

日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω

规格

测量温度逆时针
样品尺寸宽10毫米x长10至20毫米x厚度0.3至1毫米(板)
测量气氛在真空中

测量原理

关于“在绝热边界条件下通过2ω法评估薄片样品的导热系数”的论文

当金属薄膜以f / Hz的频率加热时,加热量变化为2f / Hz。
在充分散热的条件下,金属薄膜(0)–薄膜(1)–基板(s)的三层系统中金属薄膜表面的温度变化T(0)是一维的穿过金属薄膜/薄膜,以下公式用于表示传热模型的解析解。

(Λ:导热率W m -1 K -1,C:体积比热容JK -1 m -3,q:每体积的热量W m -3,d:厚度m,ω:角频率(=2πf) / s -1

由于实数解(同相振幅)包含薄膜的信息,因此在相同条件下以不同频率进行测量时,同相振幅与(2ω)-0.5成比例。
的热导率λ 1所述的薄膜是通过以下公式获得。
(M:斜率,n:截距)

Si基板上的SiO 2薄膜(20-100 nm)的示例

薄膜厚度/ nm19.951.096.8
导热系数/ Wm -1 K -10.821.121.20


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