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日本napsonμ非接触μ-PCD法测量硅片砖寿命
测量目标
单晶/多晶硅晶片,砖(散装)
测量尺寸
[晶片] <方形>
〜210 x 210mm <圆形>〜200mmφ
[砖]大210(宽)x 210(高)x 500(深)mm
测量范围
0.1μS至1,000μS
(要测量的电阻范围; 0.1至1kΩ ·cm)
<测量激光单元>类型:半导体激光二极管,
波长:905 nm(对于晶片)/ 1,000 nm(对于砖),峰值功率:60 W,脉冲宽度:80 nS
测量目标
单晶/多晶硅晶片,砖(散装)
测量尺寸
[晶片] <方形>
〜210 x 210mm <圆形>〜200mmφ
[砖]大210(宽)x 210(高)x 500(深)mm
测量范围
0.1μS至1,000μS
(要测量的电阻范围; 0.1至1kΩ ·cm)
<测量激光单元>类型:半导体激光二极管,
波长:905 nm(对于晶片)/ 1,000 nm(对于砖),峰值功率:60 W,脉冲宽度:80 nS