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日本napsonμ非接触μ-PCD法测量硅片砖寿命

日本napsonμ非接触μ-PCD法测量硅片砖寿命

产品型号: HF-300

所属分类:

产品时间:2020-09-18

简要描述:日本napsonμ非接触μ-PCD法测量硅片砖寿命
非接触/无损寿命测量
与单晶和多晶硅样品兼容
支持多点样本测量和映射图像显示
包含专用激情胶囊(用于威化饼)

详细说明:

日本napsonμ非接触μ-PCD法测量硅片砖寿命

产品特点

  • 非接触/无损寿命测量
  • 与单晶和多晶硅样品兼容
  • 支持多点样本测量和映射图像显示
  • 包含专用激情胶囊(用于威化饼)

测量规格

测量目标

单晶/多晶硅晶片,砖(散装)

测量尺寸

[晶片] <方形>
〜210 x 210mm <圆形>〜200mmφ
[砖]最大210(宽)x 210(高)x 500(深)mm

测量范围

0.1μS至1,000μS
(要测量的电阻范围; 0.1至1kΩ ·cm)

<测量激光单元>类型:半导体激光二极管,
波长:905 nm(对于晶片)/ 1,000 nm(对于砖),峰值功率:60 W,脉冲宽度:80 nS

 

产品特点

  • 非接触/无损寿命测量
  • 与单晶和多晶硅样品兼容
  • 支持多点样本测量和映射图像显示
  • 包含专用激情胶囊(用于威化饼)

测量规格

测量目标

单晶/多晶硅晶片,砖(散装)

测量尺寸

[晶片] <方形>
〜210 x 210mm <圆形>〜200mmφ
[砖]最大210(宽)x 210(高)x 500(深)mm

测量范围

0.1μS至1,000μS
(要测量的电阻范围; 0.1至1kΩ ·cm)

<测量激光单元>类型:半导体激光二极管,
波长:905 nm(对于晶片)/ 1,000 nm(对于砖),峰值功率:60 W,脉冲宽度:80 nS

 



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